根据本实验室设备，设计一个用射频磁控溅射法制备ZnO掺Ga的GZO薄膜制备方案（注意有三种元素）
根据本实验室设备，设计一个用射频磁控溅射法制备ZnO掺Ga的GZO薄膜制备方案（注意有三种元素）
发布时间：2025-06-11 22:13:21
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答案：【计分规则】: 用ZnO掺入不等量的镓制成不同组分的陶瓷靶材，直接溅射生成GZO薄膜 采用Zn金属掺入不等量的镓制成不同组分的导电靶材，在溅射的同时通入氧气进行反应生成GZO薄膜。
