关器件（通常为MOSFET或IGBT）、高频变压器及副边整流滤波电路构成。四个开关器件分为两组对称桥臂，
关器件（通常为MOSFET或IGBT）、高频变压器及副边整流滤波电路构成。四个开关器件分为两组对称桥臂，
发布时间：2025-05-10 19:38:56
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答案：全桥整流电路
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- 1.关器件（通常为MOSFET或IGBT）、高频变压器及副边整流滤波电路构成。四个开关器件分为两组对称桥臂，
- 2.在桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压的有效值为10V,则滤波后的输出电压为 V。
- 3.功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
- 4.【单选题】在桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压的有效值为10V,则滤波后的输出电压为 V。
- 5.在桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压的有效值为20V,则电容C的耐压至少为 V。
- 6.下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（ ）
- 7.【单选题】在桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压的有效值为20V,则电容 C 的耐压至少为 V。
- 8.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则滤波后的直流输出电压为（ ）。
- 9.功率MOSFET是 半控型器件。
- 10.【单选题】在单相桥式整流电路中,变压器副边电压的有效值为10V,则每只整流二极管所承受的最大反向电压为 V。
