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为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。
A、du/dt抑制电路
B、抗饱和电路
C、di/dt抑制电路
D、吸收电路
发布时间:
2025-03-30 22:31:13
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答案:
抗饱和电路
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为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。
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