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本征半导体中,空穴浓度()电子浓度
本征半导体中,空穴浓度()电子浓度
发布时间:
2025-02-22 00:57:28
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1.
本征半导体中,空穴浓度()电子浓度
2.
本征半导体的导电性能主要受掺杂浓度的影响。
3.
对于非平衡载流子,电子载流子浓度与空穴载流子浓度相等。
4.
在本征半导体中,载流子只能是从价带激发到导带的电子和在价带留下的空穴。
5.
半导体具有电子及空穴两种类型载流子。
6.
本征载流子浓度随着温度的升高而
7.
对应于室温下Si, Ge和GaAs三种半导体,室温下Si的本征载流子浓度最高。
8.
N型半导体是在本征半导体中掺入( )元素。
9.
本征半导体是指:
10.
( ).如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体,外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的( )。
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