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砷化镓是直接带隙半导体材料
A、对
B、错
发布时间:
2025-03-29 09:31:26
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推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
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答案:
对
相关试题
1.
砷化镓是直接带隙半导体材料
2.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
3.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )
4.
下一代半导体材料应为(),因为它在信息处理上速度可提高10倍。A.硅B.锗C.砷D.砷化镓
5.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
6.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
7.
半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
8.
晶体硅太阳能电池材料中所使用的晶硅材料为 接带隙半导体材料。
9.
以下可用来制备砷化镓薄膜的技术有( )。
10.
硒化锑的带隙为( )。
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