利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是
利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是
发布时间：2025-05-20 10:20:49
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：(以下答案任选其一都对)FZ法; 悬浮区熔法
相关试题
- 1.利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是
- 2.在制作多晶硅太阳能电池时，将作为原料的高纯硅不提纯成单晶而是将其熔化后浇铸成正方形的硅锭.
- 3.多晶硅晶体与单晶硅显著地不同点是多晶硅的____远不如单晶硅。
- 4.多晶硅组件的特点是?
- 5.高纯多晶硅制备常采用的方法是（ ）
- 6.单晶硅和多晶硅的电学性能相同
- 7.单晶硅太阳能电池效率比多晶硅电池低。（ ）
- 8.半导体行业用到的多晶硅纯度一般为
- 9.所谓多晶硅薄膜的间接制备法，就是先制备得到（ ）薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。
- 10.引锭杆包括(引锭头、引锭身 )。
