找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
本征硅的禁带宽度为
A、1.12 eV
B、1.34 eV
C、3 eV
D、 0.66 eV
发布时间:
2025-03-03 22:12:41
首页
期货从业资格
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
A
相关试题
1.
本征硅的禁带宽度为
2.
本征载流子浓度特点?载流子数目取决于什么?(Or:禁带宽度,温度与本征载流子浓度的关系)
3.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
4.
硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
5.
单晶硅在室温下的禁带宽度
6.
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
7.
半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知某材料的禁带宽度Eg=1.39eV,则其发射波长为( )nm(结果保留小数点后3位即可)
8.
只有光的能量小于材料的禁带宽度时才可透过,可见光的能量在3.1eV左右,而ITO的禁带宽度在3.5eV,所以对可见光为透明而对紫外光为吸收。( )
9.
Cu2O是n型半导体,其禁带宽度仅为2.2ev。( )
10.
从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体
热门标签
粉笔在线题库
题库软件
公安公共基础知识题库
事业编制考试题库
银行笔试题库及答案
中国银行考试题库
辅导员考试题库
时事政治题库
护士资格考试题库
中国移动题库
三支一扶考试题库
综合知识题库及答案
高中语文教师资格证面试题库
公务员题库app
社工考试题库
法律法规题库
行政考试题库
司考题库
教师考试题库
小学教师资格题库