试分析小注入时,电子(空穴)在五个区域中的运动情况(分析漂移与扩散的方向及相对大小)。
试分析小注入时,电子(空穴)在五个区域中的运动情况(分析漂移与扩散的方向及相对大小)。
发布时间：2025-03-27 00:03:55
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：解:小注入时,势垒区内载流子浓度很小,电阻很大,势垒区外的n 区和p 区中的载流子浓度很大,电阻很小,所以外加正向偏压基本上都降在势垒区,而中性区和扩散区中的电场很弱。正向偏压在势垒区产生与内建电场方向相反的电场,减弱了势垒区中的电场强度,产生电子和空穴的净扩散流,其中电子由n 区扩散到p 区形成电子扩散区,空穴由p 区扩散到n 区形成空穴扩散区。这种由于外加正向偏压的作用使非平衡少子进入半导体的过程称为非平衡少子的电注入。p 区的电子扩散区:由n 区扩散到p 区的电子(少子),在电场和浓度梯度的作用下向p 型区的中性区扩散,并伴随着与空穴(多子)的复合,该区同时存在空穴(多子)的漂移流,方向由左向右。该区域中空穴的漂移流大于电子的扩散流。n 区的空穴扩散区:空穴由左向右扩散,并伴随与电子的复合。该区同时存在电子(多子)的漂移流,方向由右向左。该区域中电子的漂移流大于空穴的扩散流。中性区:只存在多子的漂移流(p 中性区为空穴,方向向右;n 中性区为电子, 方向向左),不存在少子的扩散流。
