比较分子束外延( MBE)生长硅与气相外延( VPE)生长硅的优缺点。
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发布时间：2025-07-18 10:48:01
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答案：答:MBE的特点:超高真空度达 10-9~10-11Torr ,外延过程污染少,外延层洁净。温度低,(100)Si 最低外延温度 470K,所以无杂质的再分布现象。外延分子由喷射炉喷出,速率可调,易于控制,可瞬间开 /停,能生长极薄外延层,厚度可薄至 ? 量级。设备上有多个喷射口, 可生长多层、 杂质分布复杂的外延层, 最多层数可达
