找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
A、对
B、错
发布时间:
2025-05-10 15:23:51
首页
医师定期考核
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
对
相关试题
1.
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
2.
在集成电路中,将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是 。
3.
在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准记号对准,该工序称为: 。
4.
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
5.
2、光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准,这种特性指标我们称为 。
6.
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
7.
光刻胶的最小曝光量( )
8.
时通知主程序,系统更新最新的掩膜的引用,完成一次掩膜生成。但若目前没有最新生成的掩膜时,
9.
STM通过( )对抗蚀剂曝光。
10.
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
热门标签
行测题库
医学综合知识题库
注册会计师会计题库
法律常识题库
事业编制考试题库
公务员面试题库及答案
公共基础知识考试题库
教师资格题库
教育学心理学题库
征信考试题库
三类人员考试题库
银行考试题库
结构化面试题库及答案
考研历年真题库
事业单位行测题库
中国移动考试题库
题库国考
医院招聘考试题库
行政测试题库
教师职业道德题库