什么是离子注入过程中的“注入损伤”？如何解决这一损伤问题？
什么是离子注入过程中的“注入损伤”？如何解决这一损伤问题？
发布时间：2026-01-25 19:51:48
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答案：【计分规则】: 离子注入技术的最大优点，就是可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度。但是，在离子注入的过程中，衬底的晶体结构受到损伤是不可避免的。注入离子所造成的晶格损伤，对材料的电学性质将产生重要的影响。如载流子迁移率下降、少子的寿命减少等。另外，离子注入的掺杂机理与热扩散不同，在离子注入中，是把杂质离子强行射入晶体内，被射入的杂质原子大多数都存在于晶格间隙位置，起不到施主或受主的作用。所以，采用离子注入技术进行掺杂的硅片，必须消除晶格损伤，并使注入的杂质进入晶格位置以实现电激活。在一定温度下，将注有杂质离子的硅片经过适当时间的热处理，使硅片中的损伤部分或绝大部分消除，少子寿命和迁移率得到恢复，掺入的杂质被激活，这样的处理过程称为热退火。
