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若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零,则其输入电阻会明显变小
若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零,则其输入电阻会明显变小
发布时间:
2025-01-11 11:02:13
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1.
若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零,则其输入电阻会明显变小
2.
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
3.
CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 ( )
4.
N沟道JFET,UGS(off)=-6V,uGS=-3V,uDS=1V,场效应管( )
5.
【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
6.
单极型晶体管又称为 场效应( ) 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
7.
当栅源电压为0V时,存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流
8.
晶体管和MOS管的输入电阻有何不同?
9.
场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
10.
耗尽型NMOS管
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