若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零，则其输入电阻会明显变小
若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零，则其输入电阻会明显变小
发布时间：2025-01-11 11:02:13
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：【no results没有结果，应该是题目输入有误】
相关试题
- 1.若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零，则其输入电阻会明显变小
- 2.N沟道增强型MOS管的沟道是P型。
- 3.所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
- 4.CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 （ ）
- 5.N沟道JFET，UGS(off)=-6V，uGS=-3V，uDS=1V，场效应管( )
- 6.【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
- 7.单极型晶体管又称为 场效应( ) 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
- 8.当栅源电压为0V时，存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流
- 9.晶体管和MOS管的输入电阻有何不同?
- 10.场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
