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测量pn结反偏电容,可以获得內建势垒,但不能获得掺杂浓度。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-07-05 20:35:19
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错误
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1.
测量pn结反偏电容,可以获得內建势垒,但不能获得掺杂浓度。
2.
已知突变PN结零偏势垒电容为3pF,内建势垒电压为0.5V,计算10V反偏电压时的势垒电容。
3.
Pn的扩散电容一般远远大于其势垒电容。
4.
PN结反偏的特性是()。
5.
PN结外加正向电压时,势垒区高度会如何变化
6.
PN结正向运用时,( )电容起主要作用。
7.
微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关,当势垒加宽或变高时,势垒贯穿概率变小。
8.
pn结加反偏压时,总电流为0。
9.
PN结正向偏置时,PN结会( )。
10.
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。
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