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P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
A、正确
B、错误
发布时间:
2025-02-16 22:47:47
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答案:
A
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1.
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
2.
沟道长度调制效应,使有效沟道长度Leff随VDS电压的增加而减小,从而造成饱和区电流随VDS的增加而减小。
3.
CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 ( )
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vGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有
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MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
6.
关于贝叶斯公式:P < WIX ) =P < X|W ) *P ( W ) /P ( X )描述正确的是?
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已知sinα<0,且cos>0,则α是( )
<w:pPr><w:widowControl w:val="0"/><w:jc w:val="both"/">
8.
w:qFormat/><w:uiPriority w:val="0"/><w:pPr><w:widowControl w:val="0"/><w:jc w:val="both"/
9.
理想运放工作在饱和区时也存在“虚短”现象。
10.
对于可逆反应2SO2+O2 ≒ 2SO3 △H <0,要提高SO2的转化率,应采用的反应条件是
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