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P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
A、正确
B、错误
发布时间:
2025-02-16 22:47:47
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答案:
A
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1.
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
2.
沟道长度调制效应,使有效沟道长度Leff随VDS电压的增加而减小,从而造成饱和区电流随VDS的增加而减小。
3.
CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 ( )
4.
对于增强型NMOS管,当vGS<VTN时,工作在截止状态。( )
5.
饱和区的条件和特点是
6.
vGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有
7.
MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
8.
其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
9.
当晶体管工作在饱和区时,发射结电压和集电结电压应为
10.
The gate source voltage and the drain source voltage are as follows, and VTN, VTP or VPN, VPP values
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