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硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-05-24 13:54:03
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1.
硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
2.
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
3.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
4.
硅管的导通电压比锗管的小,反向饱和电流比锗管的大。
5.
硅二极管的导通压降约为( )
6.
GaAs的开启电压约为1V。
7.
二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。
8.
NMOS管G极电压越高,DS间导通程度越强。
9.
电路如图所示,设二极管导通电压,电路的输出电压
10.
智慧职教: CAN-High导线的电压大约为()V
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