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NMOS管G极电压越高,DS间导通程度越强。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-04-02 15:11:32
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相关试题
1.
NMOS管G极电压越高,DS间导通程度越强。
2.
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
3.
硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
4.
当晶闸管承受正向阳极电压,门极加上正向触发电压,晶闸管导通。( )
5.
PMOS管的电流方向是从漏极到源极,NMOS管的电流方向是从源极到漏极。
6.
晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。
7.
晶闸管导通后,控制极改加适当大小的反向电压,则可控硅()。
8.
【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
9.
耗尽型NMOS管
10.
晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时,门极上加上 电压,晶闸管就导通。
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