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利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
A、对
B、错
发布时间:
2025-05-10 15:23:51
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(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
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答案:
对
相关试题
1.
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
2.
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
3.
2、光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准,这种特性指标我们称为 。
4.
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
5.
光刻胶的最小曝光量( )
6.
STM通过( )对抗蚀剂曝光。
7.
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
8.
碳膜电阻器,利用沉积瓷棒上的碳膜作为导电层的电阻
9.
碳膜电阻器,利用沉积瓷棒上的碳膜作为导电层的电阻
10.
光刻机是制造芯片的最关键设备,光刻技术是现代纳米级电路的基石,它是指利用透镜将绘制在掩膜上的电路通过紫外光投射到涂有光刻胶的硅片上,从而制造出集成电路的方法,其工作原理如图所示,此时恰好在硅片上成清晰的像
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