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光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
发布时间:
2025-05-16 20:00:49
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八大员
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(
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答案:
(以下答案任选其一都对)套刻对准; 套准
相关试题
1.
光刻时需要多片掩膜版,每一掩膜版的图形都需要进行
2.
2、光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准,这种特性指标我们称为 。
3.
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
4.
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
5.
需要草稿版和完整版
6.
需要草稿版和完整版
7.
本次实验需要安装的 Wordpress 版本是
8.
255.255.240.0的掩码位是多少
9.
下列蒸发器中,需要设置布膜器的为( )。
10.
矢量蒙版、图层蒙版、剪贴蒙版都附着在图层上,只对所在图层起作用。( )
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