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碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-03-03 21:09:04
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1.
碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。
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在很多的车用领域使用大量的碳化硅来作为器件的衬底,是因为碳化硅有三大优势()。
3.
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
4.
碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术,目前行业采用主流的方法为( )
5.
碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术,目前行业采用主流的方法为()。
6.
常用于作为建筑结构材料使用的木材种类为( )。
7.
二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有() ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
8.
功率MOSFET是 半控型器件。
9.
砷化镓是直接带隙半导体材料
10.
【填空题】材料是人类用于制造物品、器件、构件、机器或其他产品的。
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