P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
A、正确
B、错误
发布时间：2025-02-16 22:47:47
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：A
相关试题
- 1.P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
- 2.沟道长度调制效应，使有效沟道长度Leff随VDS电压的增加而减小，从而造成饱和区电流随VDS的增加而减小。
- 3.CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 （ ）
- 4.饱和区的条件和特点是
- 5.vGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有
- 6.MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
- 7.其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
- 8.The gate source voltage and the drain source voltage are as follows, and VTN, VTP or VPN, VPP values
- 9.关于贝叶斯公式:P < WIX ) =P < X|W ) *P ( W ) /P ( X )描述正确的是?
- 10.已知sinα<0，且cos>0，则α是（ ）
