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MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2025-03-12 17:31:38
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正确
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1.
MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
2.
题2、 MOS管一旦出现 现象,此时的MOS管将进入饱和区。
3.
MOS管
4.
CMOS反相器由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管组成。 ( )
5.
理想运放工作在饱和区时也存在“虚短”现象。
6.
晶体管和MOS管的输入电阻有何不同?
7.
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
8.
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
9.
稳压管的稳压区是工作在()区
10.
饱和区的条件和特点是
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