下一代半导体材料应为（），因为它在信息处理上速度可提高10倍。A．硅B．锗C．砷D．砷化镓
下一代半导体材料应为（），因为它在信息处理上速度可提高10倍。
A、硅
B、锗
C、砷
D、砷化镓
发布时间：2024-11-20 22:56:53
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：D
相关试题
- 1.下一代半导体材料应为（），因为它在信息处理上速度可提高10倍。A．硅B．锗C．砷D．砷化镓
- 2.砷化镓是直接带隙半导体材料
- 3.硅和锗是制造半导体器件的主要材料。( )
- 4.关于砷的说法，以下正确的是（）。A.无机砷毒性大于有机砷B.三价砷毒性大于五价砷C.砒霜属于砷的化合物D.砷没有蓄积毒性
- 5.高毒性材料砒霜是（）。A、三氧化二砷；B、三氯化砷；C、砷酸；D、砷酸钠。
- 6.硅是一种间接带隙半导体，而锗是一种直接带隙半导体。
- 7.A.氰化钾B.三氧化二砷C.氯化汞D.苯
- 8.A．氰化钾B．三氧化二砷C．氯化汞D．苯
- 9.硅是半导体产业中最常用的半导体材料，以下（）选项属于硅材料的优点。
- 10.改善硅负极材料的措施包括( )。A．引入孔结构，制备多孔硅材料B．与碳材料复合，增强导电性C．掺杂金属元素，提高晶体结构的稳定性D．纳米化处理，减小锂离子的扩散距离
