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砷化镓是直接带隙半导体材料
A、对
B、错
发布时间:
2025-03-29 09:31:26
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(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
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答案:
对
相关试题
1.
砷化镓是直接带隙半导体材料
2.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
3.
砷化锌,砷化镓
4.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )
5.
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
6.
下一代半导体材料应为(),因为它在信息处理上速度可提高10倍。A.硅B.锗C.砷D.砷化镓
7.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
8.
砷化镓的导带极值位于在布里渊区 。
9.
ED发光二极管的光源材料有( )等。A、砷化镓 B、磷化镓 C、磷化铝 D、其它
10.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
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