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直接带隙半导体,其价带顶和导带底
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
发布时间:
2025-03-26 21:02:05
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消防设施操作员
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1.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
2.
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
3.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
4.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )
5.
导体没有禁带,价带和导带连接在一起。
6.
砷化镓是直接带隙半导体材料
7.
设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E(k)和价带极大值附近能量E(k)分别为:https://bgk-photo.cdn.bcebos.com/6c224f4a20a446239fb105038822720e0cf3d75c.jpghttps
8.
请解释何为导带、价带及禁带
9.
在本征半导体中,载流子只能是从价带激发到导带的电子和在价带留下的空穴。
10.
半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
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