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载流子沟道在栅氧层下形成 ,源和漏之间“导通”。
A、夹断层;
B、反型层;
C、导电层;
D、耗尽层
发布时间:
2025-08-19 00:18:03
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答案:
反型层
相关试题
1.
载流子沟道在栅氧层下形成 ,源和漏之间“导通”。
2.
当栅源电压为0V时,存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流
3.
【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
4.
沟道电压、栅极电压和漏极电压三者之间的关系是什么?( )
5.
漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。( )
6.
若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零,则其输入电阻会明显变小
7.
PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式,分别是多数载流子的()和少数载流子的()
8.
为了减小漏源结面积及栅电阻,这样大尺寸的晶体管常常采用“叉指”型结构。
9.
起动机励磁线圈和起动机外壳之间是不导通的。
10.
搁栅层工程质量的通病?【代码】
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