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在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小主要取决于( )。
A、掺杂的工艺;
B、杂质的浓度;
C、温度;
D、晶体的缺陷
发布时间:
2025-02-25 17:34:50
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(
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答案:
杂质的浓度
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1.
在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小主要取决于( )。
2.
在纯净的半导体中掺了杂质后,其导电能力大大增强。
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以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
4.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。
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当环境温度增高时,半导体的导电能力会( )。
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导电高分子的掺杂类型
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在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )。
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本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体。
10.
单边突变结的( )主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
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