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以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
发布时间:
2025-03-18 09:51:13
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答案:
【计分规则】: 答:对纯的半导体材料掺入适当的杂质,也能提供载流子。在Si掺入As后形成的N型半导体,杂质在带隙中提供带有电子的能级,能级略低于导带底的能量,和价带中的电子相比较,很容易激发到导带中形成电子载流子。
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1.
以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。
2.
在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小主要取决于( )。
3.
N型半导体是在本征半导体中掺入( )元素。
4.
在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体
5.
N型半导体主要靠 导电,P型半导体主要靠 导电
6.
什么是P型半导体和N型半导体,PN结是如何形成的?
7.
什么是P型半导体和N型半导体,PN结是如何形成的?
8.
要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的( )
9.
在本征半导体中加入( )价元素可形成N型半导体。
10.
在本征硅半导体中加入五价元素可形成N型半导体,加入三价元素可形成P型半导体。
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