通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
A、正确;
B、错误
发布时间：2025-03-04 19:34:48
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答案：错误
【分析】:通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。
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- 1.通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
- 2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）
- 3.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
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- 5.二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5 μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为
- 6.通常情况下，硅和锗二极管的开启电压分别为（ ）和（ ）左右。
- 7.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，二极管
- 8.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，二极管()
- 9.当温度升高时，二极管导通压降会（ ） 。
- 10.多项选择题：二极管的正向特性包括（ ）。 A. 死区 B. 正向导通区 C. 反向截止区 D. 反向击穿区
