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一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A、正确;
B、错误
发布时间:
2024-12-03 19:06:12
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错误
相关试题
1.
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
2.
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
3.
硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
4.
通常情况下,硅和锗二极管的开启电压分别为( )和( )左右。
5.
硅二极管与锗二极管的差别?
6.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
7.
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,二极管
8.
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,二极管()
9.
当二极管加正向电压时,二极管就,而当二极管加反向电压时,二极管就,这叫二极管的特性。
10.
二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。
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