【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
发布时间：2025-05-29 06:22:48
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答案：["0.5","0.2","0.7","0.3"]
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- 2.硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。
- 3.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
- 4.NMOS管G极电压越高，DS间导通程度越强。
- 5.接触网额定电压DC（）V，波动范围DC（）V～（）V。
- 6.正常运行时，110V直流系统正常工作电压为（ ）V，电压允许波动范围为（ ）～（ ）V|220V直流系统正常工作电压为（ ）V，电压允许波动范围为（ ）
- 7.通常情况下，硅和锗二极管的开启电压分别为（ ）和（ ）左右。
- 8.低压配电系统采用（ ）V电压。
- 9.如图所示，电压U 为（ ）V
- 10.127V电压其相应的平均电压是 V。
