硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。
A、正确;
B、错误
发布时间：2025-05-24 13:54:03
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：正确
相关试题
- 1.硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。
- 2.【填空题】硅管 死区电压 约 V ,锗管 死区电压 约 V 。 硅管导通电压约 V ,锗管 导通 电压约 V
- 3.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
- 4.GaAs的开启电压约为1V。
- 5.NMOS管G极电压越高，DS间导通程度越强。
- 6.二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。
- 7.智慧职教: CAN-High导线的电压大约为（）V
- 8.二极管两端电压大于 电压时，二极管才导通。
- 9.一个10位的A/D转换器，输入电压为0-5V，则其能分辨的最小电压约为（）。
- 10.当晶闸管承受正向阳极电压，门极加上正向触发电压，晶闸管导通。（ ）
