耗尽型NMOS管
耗尽型NMOS管
发布时间：2025-03-25 15:42:41
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
答案：栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。
相关试题
- 1.耗尽型NMOS管
- 2.采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（ ）成正比。
- 3.【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
- 4.中国大学MOOC: 采用耗尽近似，P型耗尽区内的( )完全扩散掉。
- 5.NMOS管G极电压越高，DS间导通程度越强。
- 6.若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零，则其输入电阻会明显变小
- 7.用光,耗尽
- 8.简述类NMOS电路的特点。
- 9.PMOS管的电流方向是从漏极到源极，NMOS管的电流方向是从源极到漏极。
- 10.复合管的管型决定于 的管型，复合管的β近似等于两管的β 。
