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耗尽型NMOS管
耗尽型NMOS管
发布时间:
2025-03-25 15:42:41
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(
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答案:
栅极电压为零时已经形成导电沟道,必须在栅极上加上负电压,才使沟道消失,称为耗尽型NMOS管。
相关试题
1.
耗尽型NMOS管
2.
采用耗尽近似,N型耗尽区内的泊松方程与( )成正比。
3.
【填空题】耗尽型NMOS管在栅极和源极之间没有外加电压时,漏极和源极之间()[存在,不存在]沟道。栅极和源极之间加负电压,能使沟道变()[宽,窄]
4.
中国大学MOOC: 采用耗尽近似,P型耗尽区内的( )完全扩散掉。
5.
NMOS管G极电压越高,DS间导通程度越强。
6.
对于增强型NMOS管,当vGS<VTN时,工作在截止状态。( )
7.
若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压uGS大于零,则其输入电阻会明显变小
8.
简述类NMOS电路的特点。
9.
用光,耗尽
10.
PMOS管的电流方向是从漏极到源极,NMOS管的电流方向是从源极到漏极。
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