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室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
发布时间:
2025-05-20 20:48:13
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答案:
3.4eV
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室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
2.
单晶硅在室温下的禁带宽度
3.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
4.
本征硅的禁带宽度为
5.
碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。
6.
禁带的宽度与周期性势场有关,禁带出现的位置与晶体结构有关。
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Cu2O是n型半导体,其禁带宽度仅为2.2ev。( )
8.
从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体
9.
半导体光催化材料的禁带宽度越大,太阳光谱的吸收范围越大。
10.
砷化镓是直接带隙半导体材料
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