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单晶硅在室温下的禁带宽度
单晶硅在室温下的禁带宽度
发布时间:
2025-03-06 11:22:55
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(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
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答案:
1.11
相关试题
1.
单晶硅在室温下的禁带宽度
2.
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
3.
半导体的禁带宽度大于绝缘体的禁带宽度。
4.
禁带宽度
5.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
6.
本征硅的禁带宽度为
7.
禁带的宽度与周期性势场有关,禁带出现的位置与晶体结构有关。
8.
Cu2O是n型半导体,其禁带宽度仅为2.2ev。( )
9.
只有光的能量小于材料的禁带宽度时才可透过,可见光的能量在3.1eV左右,而ITO的禁带宽度在3.5eV,所以对可见光为透明而对紫外光为吸收。( )
10.
从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体
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