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本征硅的禁带宽度为
A、1.12 eV
B、1.34 eV
C、3 eV
D、 0.66 eV
发布时间:
2025-03-03 22:12:41
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推荐参考答案
(
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答案:
A
相关试题
1.
本征硅的禁带宽度为
2.
本征载流子浓度特点?载流子数目取决于什么?(Or:禁带宽度,温度与本征载流子浓度的关系)
3.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
4.
硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。
5.
单晶硅在室温下的禁带宽度
6.
禁带的宽度与周期性势场有关,禁带出现的位置与晶体结构有关。
7.
室温下,氮化镓的禁带宽度是 。
8.
半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知某材料的禁带宽度Eg=1.39eV,则其发射波长为( )nm(结果保留小数点后3位即可)
9.
只有光的能量小于材料的禁带宽度时才可透过,可见光的能量在3.1eV左右,而ITO的禁带宽度在3.5eV,所以对可见光为透明而对紫外光为吸收。( )
10.
Cu2O是n型半导体,其禁带宽度仅为2.2ev。( )
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