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半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
A、导带顶和价带底;
B、价带顶和导带底;
C、允带顶和价带底;
D、导带顶和允带底
发布时间:
2025-05-10 10:53:16
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答案:
价带顶和导带底
相关试题
1.
半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。
2.
砷化镓是直接带隙半导体材料
3.
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
4.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
5.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
6.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )
7.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
8.
下面材料中,()肯定属于间接带隙的半导体材料。A.SiB.GeC.GaAsD.GaNE.GaAsP
9.
晶体硅太阳能电池材料中所使用的晶硅材料为 接带隙半导体材料。
10.
硒化锑的光学带隙为( )。
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