找答案
考试指南
试卷
请在
下方输入
要搜索的题目:
搜 索
硒化锑的带隙为( )。
A、约1.7 eV;
B、1.0-1.2 eV;
C、约1.5 eV;
D、约2.0 eV
发布时间:
2025-02-25 16:04:33
首页
司法考试
推荐参考答案
(
由 快搜搜题库 官方老师解答 )
联系客服
答案:
1.0-1.2 eV
相关试题
1.
硒化锑的带隙为( )。
2.
硒化锑的光学带隙为( )。
3.
砷化镓是直接带隙半导体材料
4.
生命的元素不包括。? 硒碳硫锑
5.
硒化铅,硒化镉
6.
硅是一种间接带隙半导体,而锗是一种直接带隙半导体。
7.
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
8.
直接带隙半导体,其价带顶和导带底
9.
晶体硅太阳能电池材料中所使用的晶硅材料为 接带隙半导体材料。
10.
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。
热门标签
事业单位招聘考试题库
卫生公共知识题库
公务员考试试题题库
中公教育题库
河北题库
试卷题库
人文知识题库
护理招聘考试题库
国家电网企业文化题库
公安辅警考试题库
国考题库
题库软件
普通话题库
建行笔试题库
练习题库
公务员题库及答案
教师考试题库
教师业务考试题库
综合素质考试题库及答案
农商银行考试题库